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福州新區(qū)新增兩個GaN項目簽約

日期:2024-01-29 閱讀:708
核心提示:近日,福州新區(qū)集中簽約38個重點項目,總投資超220億元,其中2個項目涉及氮化鎵,包括芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目和福州鎵谷氮化

 近日,福州新區(qū)集中簽約38個重點項目,總投資超220億元,其中2個項目涉及氮化鎵,包括芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目和福州鎵谷氮化鎵外延片項目。

資料顯示,芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目由福建芯睿半導體有限公司建設(shè),芯睿半導體成立于2023年12月,注冊資本50億人民幣。

福州鎵谷氮化鎵外延片項目由福州鎵谷半導體有限公司建設(shè),主營第三代半導體的研發(fā)與生產(chǎn),預計投入10億元,用地86畝,達產(chǎn)后年產(chǎn)能24萬片。

據(jù)悉,鎵谷半導體成立于2022年,致力于第三代半導體材料GaN外延的研發(fā)與生產(chǎn),產(chǎn)品包括硅基氮化鎵、碳化硅基氮化鎵、藍寶石基氮化鎵,主要應用于電力電子及功率器件。

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