硅襯底上生長氧化鎵異質(zhì)外延‌利用硅的低成本和大尺寸優(yōu)勢，突破氧化鎵襯底制備的瓶頸，加速其產(chǎn)業(yè)化進程‌，是材料科學(xué)的重大突破，更是在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控、搶占下一代技術(shù)制高點的關(guān)鍵戰(zhàn)略。盡管硅基氧化鎵外延面臨晶格失配、熱膨脹系數(shù)差異等挑戰(zhàn)，隨著技術(shù)成熟，硅基氧化鎵有望在成本敏感領(lǐng)域率先實現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用，成為功率半導(dǎo)體市場的重要力量。

近日，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門召開。 

期間，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司首席科學(xué)家，中山大學(xué)教授王鋼受邀參會，并在“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)”分會上帶來了《硅襯底氧化鎵異質(zhì)外延生長及應(yīng)用》的主題報告，分析了大尺寸硅基氧化鎵外延、硅基氧化鎵器件及應(yīng)用等內(nèi)容。  

通過引入兩步生長法以及H₂O作為氧源，成功在AlN/Si(111)上實現(xiàn)了六英寸硅基ε-Ga₂O₃異質(zhì)外延。通過引入Ga₂O₃超晶格技術(shù)與工藝參數(shù)調(diào)整，實現(xiàn)了硅基ε-Ga₂O₃殘余應(yīng)力與晶疇生長的調(diào)控。通過襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)，成功實現(xiàn)了硅基ε-Ga₂O₃薄膜POI襯底，并成功制備了ε-Ga₂O₃-SMR體聲波諧振器。 

展望未來，如何實現(xiàn)大尺寸單疇硅基ε-Ga₂O₃生長，實現(xiàn)高質(zhì)量ε-Ga₂O₃單晶薄膜？基于單晶ε-Ga₂O₃強自發(fā)極化效應(yīng)，如何實現(xiàn)ε-AlGaO₃ /Ga₂O₃-HEMT器件是需要研究的問題。 

企業(yè)簡介

福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（簡稱“晶旭半導(dǎo)體”或“公司”）坐落于承載著共和國歷史轉(zhuǎn)折點紅色記憶的福建省上杭縣——古田會議舊址所在地。公司以“用芯成就高品質(zhì)生活”為使命，致力于打造第三代和第四代化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，氧化鎵超寬禁帶材料制備技術(shù)處于國際領(lǐng)先地位，成為全球首家具備氧化鎵基eBAW濾波器芯片交付能力的企業(yè)，形成第三代高頻體聲波濾波器，填補了國內(nèi)空白。

福建晶旭半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的光電集成芯片(OEIC)和寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延薄膜材料制造商，其氧化鎵晶圓制備技術(shù)處于國際領(lǐng)先地位。公司榮獲國家顛覆性技術(shù)創(chuàng)新大賽最高獎“優(yōu)勝獎”，并承擔科技部重點研發(fā)項目，目前正全力推進成果轉(zhuǎn)化，成功研制出高質(zhì)量氧化鎵異質(zhì)外延生長工藝，已實現(xiàn)6英寸硅基氧化鎵單晶壓電薄膜晶圓的批量制備，是國際上首個獲得優(yōu)質(zhì)大尺寸硅襯底氧化鎵晶圓的企業(yè)，竭力為用戶提供氧化鎵單晶薄膜異質(zhì)鍵合晶圓材料（POI)及其高頻、大功率、大帶寬濾波器的綜合解決方案，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G/6G通信、智能物聯(lián)、航空航天、新能源汽車、高端裝備制造、軌道交通、雷達系統(tǒng)等多個關(guān)鍵領(lǐng)域。未來，晶旭將聚焦光電集成與氧化鎵射頻芯片兩大產(chǎn)業(yè)板塊，推動高端芯片產(chǎn)業(yè)穩(wěn)健發(fā)展，立志成為世界領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體芯片研發(fā)、制造與服務(wù)公司。 

（根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）