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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室100V GaN功率器件綜合性能達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平

中國科學(xué)院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復(fù)合襯底與器件方面取得重要進(jìn)展

關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

上海微系統(tǒng)所在IEDM 2025上發(fā)布面向功率器件設(shè)計(jì)的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案

電子科技大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體GaN功率器件及其高效電力電子應(yīng)用研究領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展

AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制

三維半導(dǎo)體器件制造新路徑！上海交大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)3D打印單晶硅突破

萬伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

中科大孫海定：氮化鎵基多功能集成光電突觸器件構(gòu)建高效人工視覺系統(tǒng)

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在水陸兩棲紫外光電器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)在IEEE ISPSD發(fā)表2項(xiàng)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件重要技術(shù)進(jìn)展

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際功率半導(dǎo)體會(huì)議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團(tuán)隊(duì)五項(xiàng)重要成果在功率器件頂級(jí)會(huì)議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

中國科大研制出一種全方向表面等離子體波照明器件

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

中國科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

清華大學(xué)化學(xué)系馬冬昕團(tuán)隊(duì)開發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點(diǎn)深紅光器件

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測(cè)

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