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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室100V GaN功率器件綜合性能達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平

關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

吉林大學(xué)研發(fā)高性能柔性近紅外光電探測(cè)器

納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合，服務(wù)于智能電網(wǎng)并全面提升關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施可靠性與性能

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

南京大學(xué)周峰：面向空間電源應(yīng)用的高性能氮化鎵功率器件研究進(jìn)展

實(shí)現(xiàn)”并跑“：長鑫存儲(chǔ)LPDDR5X性能比肩國際，重塑全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

西北首條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)

報(bào)告前瞻|復(fù)旦大學(xué)雷光寅：面向AI數(shù)據(jù)中心高功率電源的高性能SiC芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

博睿光電梁超：面向功率器件的高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化

中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所碳化硅反射鏡加工高性能磨料采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團(tuán)隊(duì)與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強(qiáng)電學(xué)性能的應(yīng)用

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|名古屋大學(xué)特聘教授Tohru Oka：基于SPICE模擬的垂直GaN MOSFET性能預(yù)測(cè)和損耗分析

能訊持續(xù)升級(jí)高性能氮化鎵工藝平臺(tái)，助推產(chǎn)學(xué)研融通創(chuàng)新

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平

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