劍橋大學衍生出來的 Porotech 已獲得了 300 萬英鎊（約合人民幣2690萬元）資金，用于資助其Micro-LED生產技術的開發(fā)，該技術有望開創(chuàng)更明亮、更清晰的微型顯示器的新時代。

 

Micro-LED 是智能手機、智能手表和 VR/AR 耳機等產品顯示器的下一個發(fā)展階段。它在戶外特別有用，因為陽光會使現(xiàn)有的顯示器難以看清，但當前 Micro-LED 的性能會隨著設備尺寸的縮小而惡化。

圖片由Pexels在Pixabay上發(fā)布

 

據(jù) Porotech 稱，他們的新型多孔氮化鎵 (GaN) 半導體材料提供了適合大規(guī)模生產或定制的性能改進，該公司于 2020 年 11 月推出了據(jù)稱是世界上第一個商業(yè)原生紅色氮化銦鎵 (InGaN) LED 外延片用于Micro-LED 應用。

 

世界上第一個用于Micro-LED 應用商業(yè)原生紅色氮化銦鎵 (InGaN) LED 外延片

Porotech 的下一步是擴展其新方法，將基于 InGaN 的紅色、綠色和藍色 (RGB) Micro-LED 集成到全彩色微型顯示器中，從而創(chuàng)建可獨立控制的“智能”像素，以實現(xiàn)卓越的響應能力和AR手勢等應用中的準確性。

 

一種新型多孔氮化鎵的半導體材料

 

目前，正在測試的智能像素技術主要基于磷化鋁銦鎵 (AlInGaP) 材料和量子點顏色轉換 (QDCC)。據(jù)說 AllnGaP 在 AR 所需的小像素尺寸上掙扎，而 QDCC 則存在均勻性和穩(wěn)定性問題。這兩種方法都需要不同材料的混合物。

 

據(jù)報道，Porotech 的新方法使所有三種原色都可以用相同的 GaN 材料制成，并集成在單個晶片上，而無需特殊結構。

 

Porotech 首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Tongtong Zhu 博士在一份聲明中表示：“多孔 GaN 基本上是帶有幾十納米小孔的 GaN。” “這是一個全新的工程 GaN 材料平臺，用于構建半導體器件。它提供了適合大規(guī)模生產、可擴展晶圓尺寸的性能改進——對下一代微顯示設備（如 AR 眼鏡）至關重要。”

 

“我們已經看到對我們的標準和定制多孔 GaN 襯底和Micro-LED 外延片的高需求，我們可以在 100 毫米到 300 毫米的藍寶石和硅平臺上提供這些，”朱博士補充道。“智能像素將是我們的下一個發(fā)展方向——單片生成并在單個晶圓上集成原生自發(fā)光 RGB Micro-LED，以提供更小、更輕、更薄的顯示器，使用更少的能源，并提供 AR 手勢等所需的更高準確性。”

 

Porotech 的最新一輪融資由 Speedinvest 領投，之前的投資者 IQ Capital、Cambridge Enterprise、Martlet 和 Cambridge Angels 跟投。

 

譯自the engineer