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臺灣太極子公司4吋半絕緣SiC襯底開始送樣

日期:2021-08-10 來源:化合物半導體市場閱讀:301
核心提示:臺灣太陽能廠商太極旗下盛新材料于昨日(8月9日)宣布,其 4吋半絕緣SiC襯底已送樣驗證,力爭今年底量產(chǎn)。
據(jù)最新消息,臺灣太陽能廠商太極旗下盛新材料于昨日(8月9日)宣布,其 4吋半絕緣SiC襯底已送樣驗證,力爭今年底量產(chǎn)。
 
目前盛新材料擁有16臺長晶爐,其中1臺和集團母公司廣運共同研發(fā)成功的長晶爐,單月有效產(chǎn)量達400片。
 
SiC襯底進入量產(chǎn)前,須經(jīng)過三階段測試驗證,通常為期一年時間,第一階段為送樣測試;第二階段為試產(chǎn);第三階段則進入每月百片以上量產(chǎn)規(guī)模測試。且通常在進入第二階段時,客戶便會提前預定產(chǎn)能。
 
大尺寸SiC長晶技術方面,盛新已掌握6吋晶錠從熱場模擬、材料、制程的擴晶技術,未來將直接切入6吋SiC襯底。
 
另一方面,臺灣知名硅晶圓大廠環(huán)球晶圓的化合物半導體業(yè)務也在積極跟進,日前涉足SiC襯底和GaN外延片。
 
其SiC襯底集中在6吋導電型,目前月產(chǎn)能逾2,000片,年底會擴至5,000片;GaN-on-Si外延片月產(chǎn)能2,000片,以6吋產(chǎn)品為主;而在GaN-on-SiC外延片方面,因難度較高,目前以4吋片小批量出貨。
 
值得注意的是,環(huán)球晶圓下半年將合并德國Siltronic,兩者的GaN-on-Si技術或將深度融合。同時,此次收購后,預計環(huán)球晶圓將成為全球第二大硅晶圓廠,甚至有可能超過日本信越躍居第一。
 
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