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英飛凌:碳化硅擴張時點比預(yù)期更接近

日期:2021-09-08 閱讀:286
核心提示:日經(jīng)亞洲評論周一(9月6日)報道,羅姆(Rohm Co.)首席策略官Kazuhide Ino表示,芯片制造商已從攜手打造碳化硅(SiC)市場進入了相互競爭階段。
日經(jīng)亞洲評論周一(9月6日)報道,羅姆(Rohm Co.)首席策略官Kazuhide Ino表示,芯片制造商已從攜手打造碳化硅(SiC)市場進入了相互競爭階段。法國市場研究機構(gòu)Yole Developpement預(yù)估,2026年SiC電源芯片市場規(guī)模將較2020年增長6倍、達44.8億美元。
 
德國芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies)6月推出的電動汽車(EV)逆變器SiC模塊將應(yīng)用在現(xiàn)代汽車(Hyundai Motor)次世代EV。與硅相比、這些芯片據(jù)悉可讓EV續(xù)航里程增加5%以上。日本英飛凌經(jīng)理表示,SiC擴張時間點顯然比預(yù)期更加接近。
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