近日，西安郵電大學由電子工程學院管理的新型半導體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標志著學校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。

團隊負責人陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。硅上氧化鎵異質(zhì)外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時擁有成本低和散熱好等優(yōu)勢。

新型半導體器件與材料重點實驗室聘請中國科學院院士、微電子學與固體電子學家郝躍院士為首席科學家，團隊師生共30余人，擁有完整的氧化鎵工藝實驗線及超凈工藝間，主要研究超寬禁帶氧化鎵材料與器件。團隊在氧化鎵材料生長、器件制備、測試表征等方面具有豐富的科研經(jīng)驗，承擔國家自然科學基金、陜西省自然科學基金、陜西省教育廳基金資助的多個研究項目，在物理學報、半導體學報、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等發(fā)表研究論文100余篇，授權國家發(fā)明專利20余項。