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【邀請函】科利德邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導體學術(shù)會議

日期:2025-07-31 閱讀:587
核心提示:【邀請函】科利德邀您共赴第六屆全國寬禁帶半導體學術(shù)會議

 2025年8月10日-13日,我國寬禁帶半導體領(lǐng)域的行業(yè)盛會——第六屆全國寬禁帶半導體學術(shù)會議將在大連舉辦。大會由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會、中國電子學會電子材料學分會共同主辦,大連理工大學、東北師范大學和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。

本屆大會設置開閉幕大會,材料生長、材料物性與輻照測試、光電子器件及其應用、電子器件及其應用、新型寬禁帶材料與器件5個平行分會,來自國內(nèi)寬禁帶半導體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表等,將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流,促進產(chǎn)學研用的交流合作。這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術(shù)研究、技術(shù)進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

屆時,大連科利德半導體材料股份有限公司(簡稱:科利德)作為我國從事高純電子氣體、半導體前驅(qū)體等電子材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次學術(shù)盛會(展位號:A06)。并且,科利德公司研發(fā)中心副主任張強將出席會議,并分享《高介電常數(shù)材料在寬禁帶半導體中的應用》主題報告。誠摯邀請行業(yè)專家學者、業(yè)界同仁蒞臨大會現(xiàn)場,進行深入的交流與探討,共同探索未來進一步合作的可能性。

科利德

嘉賓簡介

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張強

大連科利德半導體材料股份有限公司研發(fā)中心副主任

簡介:張強,南京大學博士,中國科學院大連化學物理研究所-博士后,先后在Angew. Chem. Int. Ed.、Org. Lett.等期刊發(fā)表論文十余篇,申請相關(guān)專利十余項。現(xiàn)任大連科利德半導體材料有限公司研發(fā)中心副主任,目前主要從事半導體前高介電常數(shù)驅(qū)體材料及高純電子特氣的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化相關(guān)工作,助力半導體材料的國產(chǎn)化。

主題報告

主題:《高介電常數(shù)材料在寬禁帶半導體中的應用》

摘要:寬禁帶半導體材料GaN具有擊穿場強高、電子飽和漂移速度快、本征載流子濃度低等優(yōu)勢。同時,得益于 GaN 獨特的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的高電子遷移率二維電子氣 (2DEG),GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)具有高頻大功率的特性。同時,由于 Si 襯底具有大尺寸、低成本、與Si基器件集成度高等優(yōu)勢,Si基GaN HEMT在高效功率轉(zhuǎn)換器和大功率微波/毫米波應用中表現(xiàn)出了巨大的應用前景。其中,GaN金屬-絕緣層-半導體(MIS)柵結(jié)構(gòu)相較于傳統(tǒng)的肖特基柵極以及p型柵極具有柵極漏電流低、正向柵壓擺幅大的優(yōu)勢,是HEMT器件的優(yōu)選結(jié)構(gòu)之一。而MIS-HEMT的發(fā)展,離不開High-K材料的助力。本報告將從新材料的角度,闡述High-K材料在寬禁帶半導體中的應用。

單位簡介

大連科利德半導體材料股份有限公司成立于2001年,專業(yè)從事高純電子特種氣體及半導體前驅(qū)體等先進半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是國內(nèi)唯一自研產(chǎn)品能涵蓋清洗、刻蝕、摻雜、沉積、離子注入等關(guān)鍵制造工藝環(huán)節(jié)的半導體材料本土企業(yè)。產(chǎn)品是下游新型顯示、半導體照明、集成電路以及光伏等產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的關(guān)鍵性支撐材料。

公司建有省級企業(yè)技術(shù)中心、市工程技術(shù)研究中心,市工程研究中心、市制造業(yè)創(chuàng)新中心,技術(shù)團隊由博士、行業(yè)專家和國家級領(lǐng)軍人才組成,先后承擔完成了20余項國家級、省市級重大科研項目,主導制定了國家團體標準15項,獲得授權(quán)專利88項。產(chǎn)品應用于集成電路領(lǐng)域12英寸3nm制程,新型顯示領(lǐng)域10.5代產(chǎn)線及AMOLED產(chǎn)線等,同時產(chǎn)品出口日本、韓國、新加坡、歐洲、臺灣等國家和地區(qū)。

公司榮獲“國家制造業(yè)單項冠軍企業(yè)”、“國家專精特新‘小巨人’企業(yè)”、“中國新型顯示產(chǎn)業(yè)鏈特殊貢獻獎”等企業(yè)榮譽,以及 “國家重點新產(chǎn)品獎”、“中國半導體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”等產(chǎn)品榮譽。

科利德堅持聚焦半導體材料“專精特新”發(fā)展,以研發(fā)產(chǎn)業(yè)化模式不斷突破,解決半導體材料“卡脖子”難題,實現(xiàn)國產(chǎn)強替代,同時參與國際市場競爭,努力將科利德建設成為國際先進的半導體材料研發(fā)產(chǎn)業(yè)化平臺。

附:會議信息

會議時間:2025年8月10日-13日

會議地點:中國·大連

主辦單位:

中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會

中國電子學會電子材料學分會

承辦單位:

大連理工大學

東北師范大學

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

協(xié)辦單位:

集成光電子全國重點實驗室

寬禁帶半導體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室

國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)

中國科學院長春光學精密機械與物理研究所特種發(fā)光科學與技術(shù)全國重點實驗室

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

一、組織機構(gòu)

名譽主席:甘子釗、王占國、鄭有炓

顧問委員會(按姓氏首字母排序):褚君浩、杜國同、顧  瑛、關(guān)白玉、郝  躍、黃  如、賈明星、江風益、李愛珍、李晉閩、李樹深、劉紀美、劉  明、劉  勝、羅  毅、申德振、孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、俞大鵬、張國義、張  榮、張  躍、鄭婉華

大會主席:劉益春

共同主席:沈  波、楊  輝、吳  玲

程序委員會

主  席: 徐  科

副主席:黎大兵、張源濤、朱嘉崎

委  員(按姓氏首字母排序):敖金平、蔡樹軍、陳長清、陳敦軍、陳  弘、陳  敬、陳堂勝、陳萬軍、陳小龍、陳秀芳、程  凱、遲  楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書林、賀東江、黃伯寧、黃  豐、黃  凱、康俊勇、賴占平、李國強、梁  建、劉  斌、劉國友、劉建平、劉木清、劉  榕、劉斯揚、劉新宇、劉  揚、龍世兵、陸  海、羅小蓉、馬曉華、毛  維、歐  欣、潘  毅、裴  軼、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛  況、孫  錢、孫偉鋒、孫小衛(wèi)、孫曉娟、唐  寧、陶緒堂、萬成安、萬玉喜、汪  萊、王德君、王  鋼、王宏興、王建峰、王江波、王軍喜、王來利、王  立、王新強、吳毅鋒、肖國偉、徐海陽、徐士杰、徐現(xiàn)剛、許福軍、薛玉雄、閆建昌、楊富華、葉建東、伊曉燕、于洪宇、云  峰、張保平、張  波、張國旗、張進成、張金風、張  龍、張乃千、張清純、鄭雪峰、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨焱

組織委員會

主  席: 梁紅偉

副主席:陳志濤、阮軍、張書明

委  員(按姓氏首字母排序):蔡端俊、曹峻松、陳  鵬、陳義強、陳志忠、程紅娟、方  方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿  博、龔  政、郭  清、郭世平、郭  煒、郝茂盛、胡衛(wèi)國、化夢媛、黃火林、黃  森、何晨光、賀致遠、紀志坡、賈  銳、賈志泰、蔣  科、矯淑杰、江  灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉  超、劉軍林、劉可為、劉  雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強、劉宗亮、陸  敏、呂元杰、梅云輝、馬劍鋼、苗振林、母鳳文、牛萍娟、潘堯波、齊紅基、全知覺、任國強、賽青林、桑立雯、宋  波、孫海定、孫文紅、孫永強、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王茂俊、王  琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳  亮、吳嘉偉、吳雅蘋、謝志國、徐明升、楊  霏、楊蘭芳、楊  樹、楊學林、殷  紅、于彤軍、張佰君、張  峰、張  輝、張紀才、張建立、張景文、張葦杭、張  嵩、張  雄、張宇昊、張  韻、張紫輝、趙璐冰、趙  維、周春華、周  弘、周  琦

大會秘書處

秘書長: 張振中 黃火林

副秘書長: 趙  紅 張克雄 張赫之

成  員: 賈欣龍、馬浩然、夏曉川、孫雨周、代建勛、柳陽、李鵬、王月飛、楊霖等

三、主要日程

四、大會主題

綠色能源與智能時代的寬禁帶半導體技術(shù)

五、會議征文方向:

1.材料生長(氮化物半導體、氧化物半導體、碳化硅、金剛石等)

2.材料物性和表征技術(shù)(光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等)

3.光電子器件及其應用(LED、Micro-LED、LD、光電探測器等)

4.電子器件及其應用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)

5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等)

6.輻射及高能粒子探測器件

征文要求:

1.符合上述內(nèi)容的論文摘要;

2.論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準確、論述嚴謹、結(jié)論明確、采用法定計量單位;

3.論文摘要須以WORD文檔格式,包含標題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內(nèi)不超過一頁A4紙;

4.提交截止日前,以電子郵件方式(投稿郵箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn)提交至會議組委會秘書組;相關(guān)模板可登錄大會官網(wǎng)(http://www.wbsc.org.cn)或查詢附件;

5.所有論文摘要均編入會議文集。

、會議注冊費

1.普通代表(A類票):

2800元(含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關(guān)服務)

2.學生代表(B類票):

2300元(與普通代表會議待遇相同,但須提交相關(guān)證件)

掃碼注冊報名

注冊二維碼

掃碼注冊報名

七、注冊費繳費方式

1.通過銀行匯款

開戶行:中國工商銀行北京市分行百萬莊支行

賬  號:0200001409014413573

名  稱:中國有色金屬學會

注:銀行匯款請務必備注“寬禁帶會議+參會代表姓名”

2.線上繳費,登錄官網(wǎng),

3.現(xiàn)場繳費(接受掃碼、刷卡)

八、會議信息及聯(lián)系人

1.會議官網(wǎng):http://www.wbsc.org.cn

官網(wǎng)二維碼

(會議詳細信息請掃碼關(guān)注大會官網(wǎng))

2.論文征集聯(lián)系人

張克雄:15382208398;Email: kxzhang@dlut.edu.cn

張赫之:13478911634;Email: hez.zhang@dlut.edu.cn

張振中:18626668329;Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

3.合作咨詢

參會咨詢:

蘆老師:13601372457,E:lul@casmita.com

商務合作:

賈先生:18310277858,E:jiaxl@ casmita.com

張小姐:13681329411,E:zhangww@ casmita.com

參會代表財務咨詢:

龐老師:15010359809

熱烈歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流!

4、酒店信息

會議酒店:大連香格里拉大酒店

位于人民路商業(yè)街,與中山廣場相鄰(大連市中山區(qū)人民路66號)。

房間價格:高級房:1000元/間夜(含單早),豪華房:1100元/間夜(含單早)

掃碼跳轉(zhuǎn)酒店官網(wǎng)預定鏈接:

大連會議酒店二維碼

住宿協(xié)議酒店:

·大連心悅大酒店(中山區(qū)人民路81號)

商務大床房:420元間/夜(含單早)

商務雙人房:420元間/夜(含雙早)

訂房聯(lián)系方式:宋經(jīng)理18640869188

距離會議酒店:477米

·大連新嘉信酒店(中山區(qū)五五路53號)

大床房:468元間/夜(含雙早)

雙床房:468元間/夜(含雙早)

訂房聯(lián)系方式:任經(jīng)理18940991977

距離會議酒店:約1公里

·桔子水晶酒店(大連中山廣場店)

高級大床房:500元間/夜(含單早)

訂房聯(lián)系方式:朱經(jīng)理18642677723

距離會議酒店:約1.1公里

·大連渤海明珠酒店(中山區(qū)勝利廣場8號)

標準大床房:440元間/夜(含雙早)

標準雙床房:440元間/夜(含雙早)

訂房聯(lián)系方式:張經(jīng)理15840631085

備注:10間以上價格為420元

距離會議酒店:約1.9公里

注:大連旅游城市正值旅游旺季,酒店實際價格有可能調(diào)整,以酒店公布為準。

5.交通信息

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