11月11-14日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學(xué)（XMU）共同主辦的第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。
期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司協(xié)辦支持的“化合物半導(dǎo)體射頻電子技術(shù)”分論壇上，來自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高校科研院所及知名企業(yè)代表共同深入探討，追蹤最新進(jìn)展。 中國電子科技集團(tuán)首席科學(xué)家、中電科第五十八所原所長蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁裴軼主持了該分論壇。
中國電子科技集團(tuán)首席科學(xué)家，中電科第五十八所原所長蔡樹軍
郭永新
香港城市大學(xué)講席教授，新加坡工程院院士，IEEE Fellow
《面向射頻芯片設(shè)計的人工智能賦能創(chuàng)新：如何實(shí)現(xiàn)快速與智能升級》
劉志宏
西安電子科技大學(xué)教授
《硅基氮化鎵射頻器件的研究與開發(fā)進(jìn)展》
裴軼
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁
《先進(jìn)氮化鎵制造中心支持射頻產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展》
王帥
北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司產(chǎn)品開發(fā)部高級經(jīng)理
《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》
校煥慶
中興通訊無線基站系統(tǒng)方案負(fù)責(zé)人
《第三代半導(dǎo)體在無線通訊系統(tǒng)中的應(yīng)用》
曾建平
中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心研究員
《化合物半導(dǎo)體太赫茲器件和高功率倍頻器研究進(jìn)展》
鄭藝媛
中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所高級工程師
《GaN太赫茲倍頻技術(shù)進(jìn)展》
李詩洋
西安電子科技大學(xué)
《適用于低壓射頻功率放大器的高效Al?O?/AlN/GaN MIS-HEMT器件》
米長鑫
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
《具有2.6dB單級增益的G波段預(yù)匹配氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMTs）》
（會議內(nèi)容詳情，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號）
