11月11-14日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學（XMU）共同主辦的第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。
期間，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司協(xié)辦的“碳化硅材料生長及應(yīng)用”分論壇上，來自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，追蹤最新進展。 日本九洲大學教授西澤伸一，浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院院長皮孝東，山東大學特聘教授，南砂晶圓董事陳秀芳共同主持了該分論壇。
西澤伸一
日本九洲大學教授
皮孝東
浙江大學教授、浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院院長
Won-Jae LEE
韓國東義大學教授、釜山電力半導體研究所所長
《高品質(zhì)、低成本大規(guī)模生長碳化硅晶體的研究進展》
陳秀芳
山東大學特聘教授，南砂晶圓董事
《8/12英寸碳化硅單晶研究進展》
梁蓬霞
京東方科技集團股份有限公司光學設(shè)計研發(fā)部部長
《光波導顯示技術(shù)的機遇與挑戰(zhàn)》
李仕群
北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司化合物行業(yè)營銷總裁
《同芯共贏 以裝備創(chuàng)新推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展》
于樂
北京智慧能源研究院外延材料研究室負責人
《面向高壓應(yīng)用的碳化硅外延技術(shù)研究》
李斌
中電科半導體材料有限公司副總經(jīng)理、山西爍科晶體有限公司董事長
《全球SiC材料市場現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢》
王蓉
浙江大學研究員
《300微米級碳化硅超厚外延薄膜的摻雜與缺陷調(diào)控》
裴弈成
中國科學院半導體研究所
《溫度對固態(tài)源SiC薄膜生長的影響》
侯新悅
山東大學
《4H-SiC 單晶中微管的起源、演化與終止：與籽晶背面反應(yīng)引起的缺陷的相關(guān)性》
（會議內(nèi)容詳情，敬請關(guān)注半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體公號）
