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晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付

臻晶半導(dǎo)體攜手南昌大學(xué)，圍繞8英寸厚SiC單晶的低成本制備展開聯(lián)合攻關(guān)

CHIPX Global投建一座8英寸GaN/SiC集成電路晶圓制造工廠

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室分析檢測中心建立“無損快速的Raman測量SiC微區(qū)載流子濃度能力

以色列氮化鎵功率半導(dǎo)體供應(yīng)商VisIC完成2600萬美元B輪融資

標(biāo)準(zhǔn) | 11項(xiàng)GaN/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會(huì)草案

西安電子科技大學(xué)杜豐羽：基于SiGaOx界面工程增強(qiáng)的β-Ga2O3/4H-SiC異質(zhì)結(jié)的高溫雙波段紫外光電探測器陣列

納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合，服務(wù)于智能電網(wǎng)并全面提升關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施可靠性與性能

標(biāo)準(zhǔn) | 《基于感性負(fù)載的SiC功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |《SiC MOSFET高濃度硫化氫試驗(yàn)方法》立項(xiàng)

三安光電SiC芯片正式上車?yán)硐?/a>

報(bào)告前瞻|復(fù)旦大學(xué)雷光寅：面向AI數(shù)據(jù)中心高功率電源的高性能SiC芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

時(shí)代電氣SiC產(chǎn)品（SBD）已在光伏領(lǐng)域批量供貨

晶盛機(jī)電：正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學(xué)張薇葭：SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動(dòng)器綜述

機(jī)構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長兩倍，至420億美元

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|九州大學(xué)西澤伸一：綠色社會(huì)時(shí)代下的SiC材料技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|韓國東義大學(xué)WON-JAE LEE：SiC晶體高質(zhì)量、低成本體生長研究進(jìn)展

晶盛機(jī)電12英寸SiC中試線通線

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英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

三安宣布湖南8英寸SiC芯片生產(chǎn)線投產(chǎn)運(yùn)營

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個(gè)募投項(xiàng)目

天岳先進(jìn)開啟招股，擬募資約18億擴(kuò)張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

羅姆第一財(cái)季營業(yè)利潤驟降84.6%，承認(rèn)中國SiC基板功能已達(dá)到頂級(jí)水平

九峰山實(shí)驗(yàn)室新型SiC Trench MOSFET科研級(jí)器件樣品發(fā)布！

小米YU7電動(dòng)SUV車型將搭載安森美EliteSiC M3e技術(shù)的先進(jìn)800V驅(qū)動(dòng)平臺(tái)

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

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