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報告前瞻|鎵未來吳毅鋒:氮化鎵功率器件往AI和EV應(yīng)用的進程

11項GaN/SiC功率器件標準修訂版發(fā)布

總投資53億元，株洲中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目正式通線

深圳平湖實驗室100V GaN功率器件綜合性能達行業(yè)先進水平

晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實現(xiàn)關(guān)鍵突破！

關(guān)鍵進展！深圳平湖實驗室高壓650V GaN功率器件綜合性能達國際先進水平

上海微系統(tǒng)所在IEDM 2025上發(fā)布面向功率器件設(shè)計的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案

電子科技大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體GaN功率器件及其高效電力電子應(yīng)用研究領(lǐng)域取得研究進展

標準 | 11項GaN/SiC功率器件標準修訂形成委員會草案

深圳平湖實驗室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進展，器件綜合性能達國際先進水平

香港大學(xué)張宇昊：面向系統(tǒng)應(yīng)用的氮化鎵功率器件的穩(wěn)定性、可靠性和魯棒性

南京大學(xué)周峰：面向空間電源應(yīng)用的高性能氮化鎵功率器件研究進展

全球首發(fā)量產(chǎn)8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件

報告前瞻|清連科技賈強：功率器件封裝用納米金屬全燒結(jié)方案與挑戰(zhàn)

博睿光電梁超：面向功率器件的高性能氮化鋁陶瓷基板及金屬化

鎵仁半導(dǎo)體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強型功率器件與可靠性技術(shù)進展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進SiC功率器件封裝兼容性

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強型氮化鎵功率器件系列全面上市

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國晶微半導(dǎo)體

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測等三個募投項目

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

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