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進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無(wú)銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

NCT成功開(kāi)發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長(zhǎng)法，有望將氧化鎵襯底成本降低九成！

晶旭半導(dǎo)體王鋼：硅襯底氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及應(yīng)用

鎵仁半導(dǎo)體夏寧：大尺寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)及缺陷

鎵仁半導(dǎo)體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來(lái)

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團(tuán)隊(duì)與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強(qiáng)電學(xué)性能的應(yīng)用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級(jí)高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽(yáng)：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢(shì)壘均勻性研究

鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵襯底質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果揭曉，國(guó)際領(lǐng)先！

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧?kù)o教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

總投資16.8億元，氧化鎵高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目主體建筑封頂！

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)6英寸斜切氧化鎵襯底制備

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)成功召開(kāi)

浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)多項(xiàng)碳化硅、氧化鎵相關(guān)研究成果閃耀I(xiàn)EEE ISPSD 2025

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質(zhì)外延片性能再創(chuàng)新高

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長(zhǎng)及材料特性研究

鎵仁半導(dǎo)體與德國(guó)NextGO.Epi攜手，推動(dòng)氧化鎵應(yīng)用

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級(jí)功率單管及coupon to wafer流片平臺(tái)

蘇州無(wú)熱芯陽(yáng)半導(dǎo)體申請(qǐng)新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管專(zhuān)利

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問(wèn)世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見(jiàn)證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開(kāi)啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時(shí)代

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