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進化半導體取得重要突破，基于無銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

NCT成功開發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長法，有望將氧化鎵襯底成本降低九成！

晶旭半導體王鋼：硅襯底氧化鎵異質外延生長及應用

鎵仁半導體夏寧：大尺寸氧化鎵單晶生長及缺陷

鎵仁半導體（011）晶面氧化鎵襯底片重磅發(fā)布，解鎖功率器件新未來

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復與增強電學性能的應用

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應用

新突破│鎵仁半導體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

2025云南晶體大會前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術研發(fā)進展

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學陶鴻昌：氧化鎵異質外延成核調控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

鎵仁半導體8英寸氧化鎵襯底質量檢測結果揭曉，國際領先！

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領域取得突破性進展

總投資16.8億元，氧化鎵高頻濾波器芯片生產項目主體建筑封頂！

東京大學研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

鎵仁半導體實現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

浙江大學團隊多項碳化硅、氧化鎵相關研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD同質外延片性能再創(chuàng)新高

廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質外延生長及材料特性研究

鎵仁半導體與德國NextGO.Epi攜手，推動氧化鎵應用

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜?span id="uanfsyv" class="highlight">氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學葉建東：氧化鎵異質結構與器件

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

蘇州無熱芯陽半導體申請新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管專利

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導體產業(yè)新突破

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導體氧化鎵新時代

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