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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

SiC技術(shù)重磅突破！瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片

晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破！

進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

四川大學(xué)程沛/王嘉宇團(tuán)隊(duì)在有機(jī)半導(dǎo)體能量無序調(diào)控方面取得新進(jìn)展

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

蘇州納米所納米加工平臺在InP基半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

《Nature》：金剛石中氮空位中心系綜的自旋擠壓！

西電郝躍院士、西安交大周磊簜團(tuán)隊(duì)與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強(qiáng)電學(xué)性能的應(yīng)用

極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室與西安理工大學(xué)合作在SiC光控晶體管研制方面取得新進(jìn)展

首次！我國芯片領(lǐng)域取得新突破

成本直降98%！微合金化復(fù)合焊片：媲美燒結(jié)銀性能的功率半導(dǎo)體封裝新技術(shù)

天成半導(dǎo)體成功研制12英寸高純半決絕緣單晶材料

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

成果| 電子科大在異質(zhì)集成柔性GaN射頻功率放大器方面取得重要進(jìn)展！

上海大學(xué)張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導(dǎo)體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進(jìn)展

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

吉林大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)表金剛石 n 型摻雜最新成果

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)突破外延襯底限制，實(shí)現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北理工課題組在低維偏振熱輻射納米光源方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強(qiáng)度研究中取得重要進(jìn)展

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

自主突破，九峰山實(shí)驗(yàn)室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

我國科學(xué)家合成了鉆石里的“六邊形戰(zhàn)士”

清華大學(xué)化學(xué)系團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)出理想的極紫外（EUV）光刻膠材料

中國科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

南京大學(xué)王欣然教授團(tuán)隊(duì)Nature Materials：實(shí)現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體堆垛調(diào)控新進(jìn)展

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