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宏光半導(dǎo)體:與GaN Systems進行首次公開GaN的行業(yè)實地試驗

日期:2022-03-30 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:251
核心提示:宏光半導(dǎo)體(6908.HK)發(fā)布公告稱,2022年3月28日,公司全資附屬公司徐州金沙江半導(dǎo)體與GaN Systems于互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中電力基礎(chǔ)設(shè)施進
宏光半導(dǎo)體(6908.HK)發(fā)布公告稱,2022年3月28日,公司全資附屬公司徐州金沙江半導(dǎo)體與GaN Systems于互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中電力基礎(chǔ)設(shè)施進行首次公開氮化鎵(GaN)的行業(yè)實地試驗,此為GaN于互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中得以廣泛應(yīng)用的重要里程碑。
分析表明,新電源在50%負載下的能源效率高達98%,比傳統(tǒng)硅基電源高4%。此舉可將互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心的總能耗降低10%,如果再加上互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中不間斷電源(UPS)和冷卻系統(tǒng)的電源替換,則與使用傳統(tǒng)矽基功率半導(dǎo)體相比,預(yù)計互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心的節(jié)能效果將達到20%。董事認為,實地試驗為實現(xiàn)全球各地互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心采用GaN的關(guān)鍵一步,乃因其證實在滿足數(shù)據(jù)中心運營商嚴格可靠性要求的同時,可實現(xiàn)對環(huán)境產(chǎn)生積極影響的能源節(jié)約效果。
 
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