美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

SiC技術(shù)重磅突破！瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片

晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實現(xiàn)關(guān)鍵突破！

進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要突破，基于無銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵

深圳平湖實驗室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

首次！我國芯片領(lǐng)域取得新突破

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

西電郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

Science Advances：南京大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊突破外延襯底限制，實現(xiàn)非晶襯底上高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜外延生長

西電郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

日本國立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

金剛石膜取得大突破！

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得重大突破

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

鄭州發(fā)布支持政策 2025年全市新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1000億元

“芯”突破河大突破這類電子芯片“卡脖子”材料難題

重大突破！碳化硅量子比特刷新紀(jì)錄：量子態(tài)保持超5秒，信號增強(qiáng)萬倍

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進(jìn)展

極具潛力的半導(dǎo)體材料，硫化鉑光電特性研究獲新突破

廈門大學(xué)聯(lián)合三安光電技術(shù)攻關(guān)，超8瓦大功率InGaN藍(lán)光激光器取得突破性成果

重大突破！科學(xué)家發(fā)現(xiàn)“拱形”納米硅陽極可大大提高鋰離子電池容量

哈工大韓杰才院士團(tuán)隊在金剛石單晶領(lǐng)域取得重大科研突破

日本半導(dǎo)體的突破，2英寸氮化鎵單晶基板量產(chǎn)

第1頁/共2頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<rt id="b9uqx"><progress id="b9uqx"></progress></rt>

<rt id="b9uqx"></rt>