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晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付

晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE GaN外延技術(shù)基礎(chǔ)

晶旭半導(dǎo)體王鋼：硅襯底氧化鎵異質(zhì)外延生長及應(yīng)用

蘇州外延世二期半導(dǎo)體產(chǎn)線項(xiàng)目開工！

碳化硅外延片廠商天域半導(dǎo)體正式登陸港交所！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|晶湛半導(dǎo)體程凱：MOVPE GaN外延技術(shù)

2025云南晶體大會前瞻|北方華創(chuàng)楊牧龍:化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備及工藝解決方案

2025云南晶體大會前瞻|甬江實(shí)驗(yàn)室陳荔:氮化鋁半極性面外延調(diào)控及其在深紫外LED中的應(yīng)用

2025云南晶體大會前瞻|北京大學(xué)王新強(qiáng)：氮化物半導(dǎo)體的大失配外延及其器件研究

2025云南晶體大會前瞻| 富加鎵業(yè)陳端陽：氧化鎵單晶襯底及外延技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|西安電子科技大學(xué)陶鴻昌：氧化鎵異質(zhì)外延成核調(diào)控及肖特基二極管（SBD）勢壘均勻性研究

2025云南晶體大會前瞻|廈門大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會前瞻|天科合達(dá)劉春?。捍蟪叽缣蓟枰r底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

2025云南晶體大會前瞻|中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

48所深耕化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，持續(xù)擴(kuò)大外延設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域

廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

納設(shè)智能全自動雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備交付！

外延設(shè)備新高度！北方華創(chuàng)化合物外延設(shè)備引領(lǐng)市場熱潮

國產(chǎn)突破！無錫先為科技首臺GaN MOCVD外延設(shè)備成功發(fā)貨

晶盛機(jī)電旗下求是創(chuàng)芯12英寸常壓硅外延設(shè)備順利交付

上海合晶：正推進(jìn)12英寸55納米CIS外延片量產(chǎn)

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廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學(xué)賀小敏：氧化鎵異質(zhì)外延生長及材料特性研究

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

華潤微電子：潤新微電子外延生產(chǎn)基地建成

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