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晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破！

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室8英寸1200 V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

芯和半導(dǎo)體上市輔導(dǎo)工作正式收官，進(jìn)入沖刺上市的關(guān)鍵階段

關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平

成都超純完成上市輔導(dǎo)，邁出登陸資本市場(chǎng)關(guān)鍵一步

AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)以IEDM國(guó)際認(rèn)可與LPDDR5X、DDR5系列新品，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵一躍

納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合，服務(wù)于智能電網(wǎng)并全面提升關(guān)鍵能源基礎(chǔ)設(shè)施可靠性與性能

上海新陽(yáng)年產(chǎn)5萬(wàn)噸集成電路關(guān)鍵工藝材料及總部、研發(fā)中心項(xiàng)目開(kāi)工

國(guó)產(chǎn)關(guān)鍵半導(dǎo)體，德清產(chǎn)！填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白！

國(guó)產(chǎn)設(shè)備關(guān)鍵突破！芯上微裝首臺(tái)350nm步進(jìn)光刻機(jī)正式發(fā)運(yùn)！

邁為技術(shù)陳萬(wàn)群：混合鍵合關(guān)鍵裝備及核心技術(shù)突破

納微半導(dǎo)體與格芯達(dá)成戰(zhàn)略合作，加速美國(guó)AI數(shù)據(jù)中心和關(guān)鍵電力應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)研發(fā)與制造

瞄準(zhǔn)關(guān)鍵方向，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新突破！多位院士劃重點(diǎn)

北大學(xué)者Nature發(fā)文！為6G技術(shù)掃清關(guān)鍵障礙

極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！突破二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)

芯聯(lián)集成2025 Q3業(yè)績(jī)報(bào)告出爐，新能源+AI” 雙賽道取得關(guān)鍵突破！

科友半導(dǎo)體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破

鋐棋科技半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備燈罩組件及耗材項(xiàng)目簽約

臺(tái)積電鎖定12英寸碳化硅新戰(zhàn)場(chǎng)，布局AI時(shí)代散熱關(guān)鍵材料

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂(lè)：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

天岳先進(jìn)正式登陸港交所國(guó)際化戰(zhàn)略布局邁出關(guān)鍵一步

國(guó)產(chǎn)首臺(tái)28納米關(guān)鍵尺寸電子束量測(cè)量產(chǎn)設(shè)備出機(jī)

矽瓷新能獲近千萬(wàn)元天使+輪融資，聚焦半導(dǎo)體關(guān)鍵粉體材料

晶升股份實(shí)現(xiàn)碳化硅材料制備關(guān)鍵環(huán)節(jié)全覆蓋

商務(wù)部調(diào)整發(fā)布《中國(guó)禁止出口限制出口技術(shù)目錄》新增關(guān)鍵技術(shù)出口限制

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長(zhǎng)難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

總投資3億元，亞芯集成電路關(guān)鍵材料項(xiàng)目已量產(chǎn)供貨國(guó)際芯片大廠！

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

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