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度亙核芯突破多項核心關(guān)鍵技術(shù),成功研發(fā)出新一代980nm泵浦激光器

日期:2026-01-04 閱讀:570
核心提示:度亙核芯通過技術(shù)攻關(guān)與工藝優(yōu)化,突破了多項核心關(guān)鍵技術(shù),成功研發(fā)出用于EDFA的980nm高功率雙芯半導(dǎo)體激光泵浦源,關(guān)鍵性能指標優(yōu)于國際同類產(chǎn)品水平,填補了國內(nèi)同類產(chǎn)品市場的空白。

近日,度亙核芯通過技術(shù)攻關(guān)與工藝優(yōu)化,突破了多項核心關(guān)鍵技術(shù),成功研發(fā)出用于EDFA的980nm高功率雙芯半導(dǎo)體激光泵浦源,關(guān)鍵性能指標優(yōu)于國際同類產(chǎn)品水平,填補了國內(nèi)同類產(chǎn)品市場的空白。

應(yīng)用背景

980nm泵浦源作為光放大器的核心部件,是保障長距離、大容量光信號傳輸系統(tǒng)穩(wěn)定運行的關(guān)鍵支撐,其高穩(wěn)定性與高可靠性直接決定光傳輸網(wǎng)絡(luò)的通信質(zhì)量與運維效率,更是泵浦類產(chǎn)品構(gòu)筑核心技術(shù)壁壘、搶占市場競爭力的核心所在。度亙核芯依托完全自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系,通過技術(shù)攻關(guān)與工藝優(yōu)化,突破了多項核心關(guān)鍵技術(shù),成功研發(fā)出用于EDFA的980nm高功率雙芯半導(dǎo)體激光泵浦源,關(guān)鍵性能指標優(yōu)于國際同類產(chǎn)品水平,填補了國內(nèi)同類產(chǎn)品市場的空白。

度亙980nm雙芯泵浦激光器

核心性能特點

•雙路激光輸出:雙芯集成設(shè)計,集成化程度高,相較于傳統(tǒng)的單芯激光器,極大地減小了器件體積,模塊體積縮減 30% 以上,最大輸出功率可達2×680mW;

•寬溫工作范圍:0~75℃范圍內(nèi)無需額外溫控設(shè)備即可穩(wěn)定運行;

•長期穩(wěn)定可靠:長期功率穩(wěn)定性<1%。

產(chǎn)品創(chuàng)新性:

高密度雙芯封裝和熱管理技術(shù)

采用多芯片集成封裝布局,顯著提高系統(tǒng)集成度。通過結(jié)構(gòu)熱仿真優(yōu)化和一體化基板設(shè)計,有效抑制雙芯片間的熱串擾,顯著提升環(huán)境適應(yīng)性與長期可靠性,滿足緊湊型光放大器應(yīng)用需求;

低應(yīng)力高可靠性耦合封裝工藝

通過精確控制焊接溫度梯度與焊料浸潤過程,有效實現(xiàn)芯片與熱沉之間的應(yīng)力匹配與均勻分布。降低因材料熱膨脹系數(shù)差異引起的機械應(yīng)力累積,并通過焊后退火處理,進一步釋放殘余熱應(yīng)力,保障芯片在長期高功率工作下的光學(xué)性能與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性;

高效光學(xué)耦合系統(tǒng)設(shè)計和工藝實現(xiàn)

針對大電流條件下的光場畸變導(dǎo)致的光學(xué)系統(tǒng)耦合問題,自研芯片通過波導(dǎo)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)模場操控,高溫大電流高階模抑制技術(shù)和光纖透鏡的端面優(yōu)化設(shè)計,保證在高功率條件下芯片-光纖之間模場高效匹配。

關(guān)于度亙

度亙核芯以高端激光芯片的設(shè)計與制造為核心競爭力,聚焦光電產(chǎn)業(yè)鏈上游,擁有覆蓋化合物半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)計、外延生長、器件工藝、芯片封裝、測試表征、可靠性驗證以及功能模塊等全套工程技術(shù)能力和量產(chǎn)制造能力,專注于高性能、高功率、高可靠性光電芯片及器件的設(shè)計、研發(fā)和制造,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、智能感知、光通信、醫(yī)療健康和科學(xué)研究等領(lǐng)域,致力打造具有國際行業(yè)地位的產(chǎn)品研發(fā)中心和生產(chǎn)制造商。

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