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總投資52億！立琻半導體Micro LED項目動工

深圳平湖實驗室田佳民博士在期刊Nanoscale發(fā)表科研成果并被收錄為期刊封面

全球首發(fā)！英特爾展示300mm氮化鎵Chiplet技術(shù)

突破二十年紀錄：西電聯(lián)合蘇州能訊發(fā)布超高功率密度GaN射頻器件技術(shù)

碳化硅襯底為什么這么難？200多種晶型、2300℃高溫、40%廢料率…

我國科研團隊研究揭示影響重稀土擴散效率的兩大關(guān)鍵微觀機制

深圳平湖實驗室分析檢測中心“SiC柵氧表征能力建設”新突破

西安交大科研團隊在柔性鈣鈦礦光伏研究領(lǐng)域取得新進展

深圳平湖實驗室100V GaN功率器件綜合性能達行業(yè)先進水平

電子科技大學羅小蓉教授團隊：具有擴展p-NiO柵極場板的超低導通電阻高壓β-Ga?O? MOSFET

南京理工大學微電子學院在SiC功率半導體領(lǐng)域最新研究成果

中國科學院微電子所在高密度三維動態(tài)隨機存儲器研究取得重要進展

NCT成功開發(fā)一種DG氧化鎵晶體生長法，有望將氧化鎵襯底成本降低九成！

深圳平湖實驗室8英寸1200 V增強型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

中國科學院微電子所在4H/3C-SiC 單晶復合襯底與器件方面取得重要進展

關(guān)鍵進展！深圳平湖實驗室高壓650V GaN功率器件綜合性能達國際先進水平

廈大物理團隊突破SiC雪崩探測器技術(shù)瓶頸，新型結(jié)構(gòu)實現(xiàn)低電壓高增益探測

半導體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實現(xiàn)193nm深紫外激光

南京大學陸海教授團隊2篇光電精密測量芯片工作在IEDM 2025發(fā)布：1. 寬禁帶半導體引領(lǐng)電子顯微技術(shù)走向單電子精密測量時代

廈門大學張榮/陳忠/郭偉杰團隊應邀發(fā)表Micro-LED研究最新進展綜述

上海微系統(tǒng)所在IEDM 2025上發(fā)布面向功率器件設計的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案

科研成果 | 氮化物半導體深紫外LED技術(shù)現(xiàn)狀及應用

小米手機射頻團隊論文入選 IEDM 2025，率先報道了應用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器

上海微系統(tǒng)所在異質(zhì)晶圓上實現(xiàn)超小型頻分器

電子科技大學在寬禁帶半導體GaN功率器件及其高效電力電子應用研究領(lǐng)域取得研究進展

突破！南京大學團隊打造連續(xù)穩(wěn)定工作超萬小時的高可靠性SiC紫外單光子探測器

AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導體技術(shù)十大進展成果推介

蘇州納米所孫錢團隊在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進展

吉林大學研發(fā)高性能柔性近紅外光電探測器

中國科大首次在ATLAS實驗中確立希格斯玻色子衰變到正反繆子對的實驗證據(jù)

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