在算力持續(xù)攀升的科技進程中，高效散熱已成為提升芯片性能的關(guān)鍵。超芯星宣布，在碳化硅襯底材料新技術(shù)上取得一項重要進展：經(jīng)客戶方采用專業(yè)設(shè)備嚴格測試，產(chǎn)品展現(xiàn)出卓越的熱管理性能，熱導(dǎo)率數(shù)據(jù)達到560W/(m·K)，重新定義碳化硅材料性能標(biāo)桿。

關(guān)于此數(shù)據(jù)的背景與意義

在材料科學(xué)領(lǐng)域，高純度碳化硅（SiC），在室溫附件的典型理論熱導(dǎo)率值普遍被認知在420-490W/(m·K)范圍內(nèi)。我公司產(chǎn)品所實現(xiàn)的測試結(jié)果，標(biāo)志著我們在特定技術(shù)路徑下，將材料的實測熱導(dǎo)率推向了業(yè)界前所未有的高水平！

此項突破的技術(shù)價值與應(yīng)用前景

當(dāng)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者如英偉達指出“散熱是下一代計算平臺最大挑戰(zhàn)”時，其本質(zhì)是對高效能熱管理方案的迫切需求。隨著芯片功率密度的增加，要求基礎(chǔ)材料能更快地將熱量導(dǎo)離核心區(qū)域。

超芯星的技術(shù)進展，預(yù)示著以下潛在價值——

提升散熱效率：采用具備此類高熱導(dǎo)率特性的襯底，有望顯著提升芯片的散熱能力，為設(shè)備在更高負載下維持穩(wěn)定運行提供潛在支持。

面向未來算力需求：此項技術(shù)為人工智能、大型數(shù)據(jù)中心、自動駕駛等對熱管理有極致要求的尖端應(yīng)用，提供了一種富有前景的材料解決方案。

推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展：這不僅是材料科學(xué)的一次重要探索，也可能為未來高端半導(dǎo)體器件的設(shè)計與制造，開辟新的可能性。

（來源：超芯星）