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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室8英寸1200 V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

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關(guān)鍵進(jìn)展！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室高壓650V GaN功率器件綜合性能達(dá)國際先進(jìn)水平

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半導(dǎo)體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實(shí)現(xiàn)193nm深紫外激光

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科研成果 | 氮化物半導(dǎo)體深紫外LED技術(shù)現(xiàn)狀及應(yīng)用

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