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應(yīng)用
SiC技術(shù)重磅
突破
！瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片
SiC
瀚天天成
全球
首發(fā)
12英寸
碳化硅
外延
晶片
評(píng)論 ?
2025-12-24 09:03
晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵
突破
！
晶湛半導(dǎo)體
5kV
GaN
功率器件
評(píng)論 ?
2025-12-23 17:21
進(jìn)化半導(dǎo)體取得重要
突破
，基于無(wú)銥工藝成功制備4英寸(010)氧化鎵
進(jìn)化半導(dǎo)體
無(wú)銥工藝
制備
4英寸
010
氧化鎵
評(píng)論 ?
2025-12-23 14:04
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室8英寸1200 V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性
突破
評(píng)論 ?
2025-12-22 09:31
廈大物理團(tuán)隊(duì)
突破
SiC雪崩探測(cè)器技術(shù)瓶頸，新型結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電壓高增益探測(cè)
廈門(mén)大學(xué)
張榮院士
SiC
雪崩
探測(cè)器
技術(shù)
探測(cè)
評(píng)論 ?
2025-12-19 08:41
智能手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)備
突破
臨界低位，長(zhǎng)鑫發(fā)布多款產(chǎn)品錨定國(guó)產(chǎn)“確定性”
評(píng)論 ?
2025-12-12 11:51
突破
！南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)打造連續(xù)穩(wěn)定工作超萬(wàn)小時(shí)的高可靠性SiC紫外單光子探測(cè)器
評(píng)論 ?
2025-12-11 10:57
突破
算力瓶頸：長(zhǎng)鑫LPDDR5X以10667Mbps為端側(cè)AI注入“存力引擎”
算力
長(zhǎng)鑫
LPDDR5X
10667Mbps
AI
評(píng)論 ?
2025-12-10 13:08
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得
突破
性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室
低壓
GaN
功率器件
進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-12-04 18:31
三維半導(dǎo)體器件制造新路徑！上海交大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)3D打印單晶硅
突破
三維半導(dǎo)體
器件
上海交大
3D打印
單晶硅
評(píng)論 ?
2025-12-04 10:15
紫金山實(shí)驗(yàn)室6G技術(shù)取得重大
突破
！
評(píng)論 ?
2025-12-01 16:06
超芯星在碳化硅材料熱管理領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)
突破
評(píng)論 ?
2025-11-28 17:31
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在解決集成電路接觸電阻瓶頸方面取得重要理論
突破
評(píng)論 ?
2025-11-28 17:26
報(bào)告前瞻 | 晶湛半導(dǎo)體程凱：氮化鎵材料生長(zhǎng)進(jìn)展與
突破
評(píng)論 ?
2025-11-28 13:50
國(guó)產(chǎn)設(shè)備關(guān)鍵
突破
！芯上微裝首臺(tái)350nm步進(jìn)光刻機(jī)正式發(fā)運(yùn)！
評(píng)論 ?
2025-11-26 15:52
稀土
突破
性研究成果發(fā)表
評(píng)論 ?
2025-11-25 18:11
邁為技術(shù)陳萬(wàn)群：混合鍵合關(guān)鍵裝備及核心技術(shù)
突破
評(píng)論 ?
2025-11-25 15:26
報(bào)告前瞻|格力電器馮尹：格力電器應(yīng)用場(chǎng)景融合化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同
突破
創(chuàng)新發(fā)展
評(píng)論 ?
2025-11-21 17:07
端側(cè)AI算力爆發(fā)背后的引擎：長(zhǎng)鑫LPDDR5X技術(shù)
突破
重塑存儲(chǔ)供應(yīng)鏈韌性
評(píng)論 ?
2025-11-21 16:05
全國(guó)首支非試點(diǎn)城市AIC基金實(shí)現(xiàn)股權(quán)直投業(yè)務(wù)
突破
評(píng)論 ?
2025-11-17 16:54
瞄準(zhǔn)關(guān)鍵方向，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新
突破
！多位院士劃重點(diǎn)
評(píng)論 ?
2025-11-04 16:56
安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來(lái)
突破
性技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-10-31 11:33
激光隱形切割SiC晶錠效率大幅提升！國(guó)創(chuàng)中心（蘇州）大尺寸碳化硅激光切割技術(shù)取得
突破
性進(jìn)展
評(píng)論 ?
2025-10-29 16:46
極鉬芯科技攜手南京大學(xué)榮登《Science》！
突破
二維半導(dǎo)體單晶制備關(guān)鍵技術(shù)
評(píng)論 ?
2025-10-29 08:47
芯聯(lián)集成2025 Q3業(yè)績(jī)報(bào)告出爐，新能源+AI” 雙賽道取得關(guān)鍵
突破
！
評(píng)論 ?
2025-10-27 18:51
首次！我國(guó)芯片領(lǐng)域取得新
突破
評(píng)論 ?
2025-10-27 11:55
科友半導(dǎo)體成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵
突破
評(píng)論 ?
2025-10-27 09:30
光峰科技與深技大共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，發(fā)力半導(dǎo)體激光技術(shù)
突破
評(píng)論 ?
2025-10-17 14:06
我國(guó)新型智能穿戴產(chǎn)品總量
突破
18.1萬(wàn)種
評(píng)論 ?
2025-10-15 17:34
新
突破
│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長(zhǎng)最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體
評(píng)論 ?
2025-10-14 21:08
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