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標(biāo)準(zhǔn) | 11項(xiàng)GaN/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會(huì)草案

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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在低壓（15V-40V）GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，器件綜合性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平

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萬伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介

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中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所胡培培：GaN材料及器件重離子輻照效應(yīng)研究進(jìn)展

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