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IFWS&SSLCHINA2025
2025大灣區(qū)化合物半導體應用生態(tài)大會
納微朗
2025年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展結(jié)果公布!
SiC技術(shù)重磅突破!瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片
晶湛半導體5kV多通道雙向GaN功率器件實現(xiàn)關(guān)鍵突破!
廈大物理團隊突破SiC雪崩探測器技術(shù)瓶頸,新型結(jié)構(gòu)實現(xiàn)低電壓高增益探測
半導體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實現(xiàn)193nm深紫外激光
南京大學陸海教授團隊2篇光電精密測量芯片工作在IEDM 2025發(fā)布:1. 寬禁帶半導體引領(lǐng)電子顯微技術(shù)走向單電子精密測量時代
【W(wǎng)olfspeed白皮書】采用先進碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性(附下載鏈接)
廈門大學張榮/陳忠/郭偉杰團隊應邀發(fā)表Micro-LED研究最新進展綜述
上海微系統(tǒng)所在IEDM 2025上發(fā)布面向功率器件設計的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案
百億級項目新進展!又一批7個半導體項目簽約、公示、竣工......
廈門發(fā)布集成電路“全鏈條"補貼征求意見稿!
中國科學院東莞材料科學與技術(shù)研究所正式掛牌
蘇州納米所孫錢團隊在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進展
科技部黨組書記、部長陰和?。阂钥萍紕?chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展
碳化硅外延片廠商天域半導體正式登陸港交所!
深圳平湖實驗室在低壓(15V-40V)GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進展,器件綜合性能達國際先進水平
AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運行為研究和高效率器件研制
18個泛半導體項目刷新“進度條”!
萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國第三代半導體技術(shù)十大進展候選成果TOP30推介
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
  • 小米手機射頻團隊論文入選 IEDM 2025,率先報道了應用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器

  • AlGaN基遠紫外光源芯片發(fā)光效率增強關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導體技術(shù)十大進展成果推介

第十一屆國際第三代半導體論壇
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)視頻頻道
  • 電子行業(yè)研究:存儲擴產(chǎn)周期疊加自主可控加速,看好半導體設備產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電子行業(yè)2026年度策略報告:跨越科技“奇點”,開啟智能時代

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