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2025大灣區(qū)化合物半導(dǎo)體應(yīng)用生態(tài)大會(huì)
納微朗
2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展結(jié)果公布!
SiC技術(shù)重磅突破!瀚天天成全球首發(fā)12英寸碳化硅外延晶片
晶湛半導(dǎo)體5kV多通道雙向GaN功率器件實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破!
廈大物理團(tuán)隊(duì)突破SiC雪崩探測(cè)器技術(shù)瓶頸,新型結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電壓高增益探測(cè)
半導(dǎo)體所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍頻實(shí)現(xiàn)193nm深紫外激光
南京大學(xué)陸海教授團(tuán)隊(duì)2篇光電精密測(cè)量芯片工作在IEDM 2025發(fā)布:1. 寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)電子顯微技術(shù)走向單電子精密測(cè)量時(shí)代
【W(wǎng)olfspeed白皮書】采用先進(jìn)碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性(附下載鏈接)
廈門大學(xué)張榮/陳忠/郭偉杰團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)邀發(fā)表Micro-LED研究最新進(jìn)展綜述
上海微系統(tǒng)所在IEDM 2025上發(fā)布面向功率器件設(shè)計(jì)的智能化電熱建模與參數(shù)提取新方案
百億級(jí)項(xiàng)目新進(jìn)展!又一批7個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約、公示、竣工......
廈門發(fā)布集成電路“全鏈條"補(bǔ)貼征求意見(jiàn)稿!
中國(guó)科學(xué)院東莞材料科學(xué)與技術(shù)研究所正式掛牌
蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在氮化鎵低壓射頻器件領(lǐng)域取得新進(jìn)展
科技部黨組書記、部長(zhǎng)陰和?。阂钥萍紕?chuàng)新引領(lǐng)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展
碳化硅外延片廠商天域半導(dǎo)體正式登陸港交所!
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在低壓(15V-40V)GaN 功率器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,器件綜合性能達(dá)國(guó)際先進(jìn)水平
AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運(yùn)行為研究和高效率器件研制
18個(gè)泛半導(dǎo)體項(xiàng)目刷新“進(jìn)度條”!
萬(wàn)伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)——2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展候選成果TOP30推介
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
  • 小米手機(jī)射頻團(tuán)隊(duì)論文入選 IEDM 2025,率先報(bào)道了應(yīng)用于移動(dòng)終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器

  • AlGaN基遠(yuǎn)紫外光源芯片發(fā)光效率增強(qiáng)關(guān)鍵技術(shù)研究——第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展成果推介

第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)視頻頻道
  • 電子行業(yè)研究:存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)周期疊加自主可控加速,看好半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈

  • 電子行業(yè)2026年度策略報(bào)告:跨越科技“奇點(diǎn)”,開(kāi)啟智能時(shí)代

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CHInano 2026 第十六屆中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)

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